放眼全球，第三代半导体尤其是氮化镓市场正呈现出广阔的发展前景。根据沙利文预测，2023年是氮化镓产业开启指数级增长的元年，后续将以98.5%的复合年增长率加速增长，由2024年的人民币32.28亿元增长至2028年的人民币501.42亿元。

英诺赛科作为行业龙头，带动氮化镓产业发展，业绩增长势头迅猛，是率先实现且唯一实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的公司，其技术实力和市场地位显著。在创始人骆薇薇博士的带领下，根据弗若斯特沙利文的资料，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体产能。

据其招股书显示，截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，公司的累计出货量超过5亿颗，是全球氮化镓出货量的领军企业。这不仅凸显了公司在氮化镓功率半导体行业的领导地位，也为其市场扩张提供了坚实基础。

在营收方面，英诺赛科的年度收入从2021年的6821.5万元人民币跃升至2023年的5.9亿元人民币，收入复合年增长率高达194.8%，其迅猛的增长态势展现出公司强大的市场竞争力。

英诺赛科已在中国苏州建立全球研发中心，将其定位为第三代半导体材料及芯片的领先研发中心。截至2023年12月31日，公司的研发工作已累计获得213项专利，其中包括173项发明专利及40项实用新型专利，以及480项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。于2021 年至2023 年，公司的研发开支合计达人民币15.92亿元。

英诺赛科苏州研发楼

基于8英寸硅基氮化镓技术平台，英诺赛科开发了一系列技术，包括氮化镓材料技术、8英寸硅基氮化镓产品设计技术，及8英寸硅基氮化镓生产工艺技术。在8英寸硅基氮化镓晶圆技术方面的进步，使公司遥遥领先于竞争对手。凭借强大的8英寸硅基氮化镓晶圆生产技术，公司突破了每月10,000片晶圆的生产瓶颈，实现了产业规模的商业化，截至2023年12月31日，晶圆良率超过95%。

出色的量产能力结合先进的制造工艺，已转化为显著的先发优势，助力英诺赛科成为世界上首家在产业规模上商业化8英寸硅基氮化镓晶圆的公司。依托成熟的商业化能力，可充分彰显公司创新能力，并有效地将创新成果推向市场，持续巩固其在氮化镓半导体行业的领导地位，实现价值蝶变与惊艳成长。

相较于传统的6英寸晶圆，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓晶圆展现出多方面的优势。晶圆晶粒产出数提升了80%，单一器件成本降低30%。此外还具有高开关频率、零反向恢复电荷、低栅极电荷及低输出电荷的特点。

为了满足客户的特定需求，英诺赛科成品晶圆未进行切割及封装处理，可由客户灵活地进行切割并按照其产品设计进行集成电路封装。这种服务模式增强了其市场竞争力，并赢得了众多客户的青睐。

值得注意的是，英诺赛科的所有分立器件产品均可以晶圆形式销售，为客户提供更多选择。同时，公司还提供晶圆外延生长加工服务，利用领先的MOCVD设备和专有技术，生产出高品质、低成本的外延产品。

综上所述，英诺赛科凭借领先的8英寸硅基氮化镓晶圆量产技术和出色的市场表现，在半导体产业中脱颖而出。展望未来，随着技术和市场的不断发展，英诺赛科有望在全球半导体领域扮演更加重要的角色。